중국 반도체, EUV 없이 1.4나노급 성능 구현…HBM 경쟁 판도 바꿀까

화웨이의 새로운 반도체 설계 기술 공개

중국 화웨이가 미국의 반도체 제재를 우회하기 위해 EUV 노광장비 없이 1.4나노급 성능을 구현할 수 있는 '로직폴딩' 기술을 공개했습니다. 이는 기존의 미세공정 경쟁에서 벗어나 칩을 수직으로 쌓는 3D 설계 혁신으로 방향을 전환한 것입니다. 업계에서는 이 기술이 AI 반도체 및 HBM 경쟁에 영향을 미칠 수 있다고 분석하고 있습니다.

 

 

 

 

로직폴딩 기술의 원리와 목표

화웨이가 공개한 로직폴딩 기술은 칩 안의 회로를 평면으로 늘어놓는 대신 위아래로 접고 쌓아 신호 이동 거리를 줄이는 방식입니다. 이 기술을 통해 2031년까지 1.4나노급 반도체 구현을 목표로 하고 있으며, 이는 현재 TSMC가 목표하는 영역과 유사합니다. 특히 EUV 장비 의존도를 낮추면서 첨단 반도체 기술 격차를 좁히려는 의도가 엿보입니다.

 

 

 

 

기술적 과제와 HBM 경쟁 가능성

전문가들은 로직폴딩 기술이 양산성, 발열, 수율 문제 등 넘어야 할 기술적 장벽이 많다고 지적합니다. 하지만 화웨이가 적용한 하이브리드 본딩 기술은 HBM과 같은 차세대 메모리 반도체에도 적용될 수 있어, 중국의 HBM 개발 속도가 빨라질 가능성이 제기됩니다. 이는 장기적으로 삼성전자와 SK하이닉스에 위협이 될 수 있습니다.

 

 

 

 

중국의 우회형 자립과 미래 전망

미국의 제재는 오히려 중국의 독자적인 반도체 생태계 구축을 자극하고 있습니다. 로직폴딩과 연동 가능한 3D EDA 소프트웨어 개발 등 설계 생태계 자립에도 속도를 내고 있습니다. 이는 중장기적으로 적층 및 패키징 중심의 새로운 경쟁 구도를 형성할 가능성을 시사합니다.